TSV(スルーシリコンビア）

本号はTSV（スルーシリコンビア）の特集が組まれていますが、このTSVもフィルドめっきの技術が欠かせません。

TSVとは貫通電極を用いた複数のICチップの垂直接続技術のことで、既存のワイヤボンディングによるICチップの接続技術よりも高集積化が可能になります。

本誌ではQualcommの事例を紹介しており、既存のスマートフォンのプロセッサで用いられているプロセッサとDRAMのPoP（パッケージオンパッケージ）と比較し、TSVを用いて実装することで伝送速度の向上や消費電力の低下が可能である点が強調されています。

スマートフォンの省電力化は業界でも最優先課題となっていますので、このTSV技術が確立すれば爆発的に普及しそうですね。

2012のインターネプコンでも表面処理薬品メーカーのTSV展示が多かったことに驚きました。

PWB用のフィルドめっきプロセスメーカーが、その応用として開発を進めているケースが多いようです。

TSVの特徴はアスペクト比が大きいことですね。

深いビアの開口部を抑制しつつ、ボイドフリーでめっき成長させることが課題です。
抑制剤の性能がプロセスの鍵となりそうですね。

誌面ではめっきのことにはほとんど触れられていなかったのが残念ですが、
本ブログでは最新情報があれば随時アップしていきたいと思います。