MSAP工法のポイント

MSAP工法が注目を浴びてきていますね。

MSAP工法は主にスマートフォンのプロセッサに使われるような小型パッケージ基板（CSP=Chip Size Package)に用いられています。

MSAPの利点はあらかじめ樹脂（絶縁層）と銅箔（導体シード層）との密着が約束されているため、SAPのような樹脂と無電解銅めっきの密着を気にしなくていいところにあります。

その代わりSAPと違って、下記の工程がポイントとなります。
1,レーザービア加工が銅箔貫通処理（Cuダイレクトレーザー加工）となる（下記工程2）
2,シード層エッチングのエッチング量が多くなる（下記工程9）

1はブラウン処理が必要になります。
最近ではマイクロシンと呼ばれる極薄銅箔が普及しており、その極薄銅箔に対しての粗化エッチングとなりますので、エッチング量の制御がカギとなるでしょうか。

2はSAPであれば無電解銅めっきによる0.5um程度のシード層エッチングでしたが、MSAPとなると前述のマイクロシン銅箔（2〜3um）のエッチングが必要になります。

SAPでは無電解銅めっきと電気銅めっきとの結晶粒界の差を利用した選択性エッチングなども用いられていますが、MSAPでは銅箔と電気銅めっきとのエッチングレートの差がつきにくいため、どうしても回路となる電気銅めっきのエッチング量が増えてしまいます。
エッチング量が増えるとサイドエッチングやアンダーカットといった問題も心配されますね。

MSAPは絶縁層と導体との密着が約束されているのは大きいと思います。
ひょっとしたらSAP工法でも手が届かない更なるファイン回路の形成には、このMSAP工法が有力になるかもしれませんね。